Samsung bellek devrimi yapabilir

Samsung araştırmacıları, günümüzde yaygın kullanılan NAND flash belleklere göre neredeyse hiç enerji harcamadan daha yüksek depolama kapasitesi sunabilen yeni bir ferroelektrik transistör (FeFET) tabanlı bellek teknolojisi geliştirdiklerini duyurdu. Bu devrimsel teknoloji, dizi yapısında geleneksel NAND’a kıyasla %96’ya varan potansiyel enerji tasarrufu sağlıyor. Samsung, yeni bellek teknolojisi geliştirdi Veri merkezli hesaplama ve yapay zeka teknolojilerinin hızla […]